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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

深圳市浩時(shí)健電子有限公司


經(jīng)營模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:178條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:馮進(jìn)軍 (銷售)

  • 三菱分立MOSFET管 RD70HHF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD70HHF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為HF高功率放大器的應(yīng)用 特性:高功率高增益:Pout70W, Gp13dB @Vdd=12.5V,f=...

    產(chǎn)品型號:RD70HHF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD45HMF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD45HMF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為900MHz-band高功率放大器申請 特征:高功率高增益:Pout45W, Gp4.7dB @Vdd...

    產(chǎn)品型號:RD45HMF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD20HMF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD20HMF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為900MHz-band RF功率放大器申請. 特征:高功率增益:Pout20W, Gp8.2dB @V...

    產(chǎn)品型號:RD20HMF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD02MUS1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD02MUS1是MOS FET型晶體管專為VHF/UHF RF po-wer放大器應(yīng)用 特征:高功率增益:Pout2W, Gp16dB @Vdd=7.2...

    產(chǎn)品型號:RD02MUS1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD100HHF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD100HHF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為HF高功率放大器的應(yīng)用 特性:高功率高增益:Pout100W, Gp11.5dB @Vdd=12.5...

    產(chǎn)品型號:RD100HHF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD70HVF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD70HVF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為VHF/UHF高功率放大器申請 特性:高功率高增益:Pout70W, Gp10.6dB @Vdd=12...

    產(chǎn)品型號:RD70HVF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD60HUF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD60HUF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為UHF高功率放大器的應(yīng)用 特性:高功率高增益:Pout60W, Gp7.7dB @Vdd=12.5V,...

    產(chǎn)品型號:RD60HUF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD30HVF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD30HUF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為UHF RF功率放大器應(yīng)用 特征:高功率增益:Pout30W, Gp10dB @Vdd=12.5V,f...

    產(chǎn)品型號:RD30HVF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱射頻功率管 RD15HVF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD15HVF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為高功率放大器應(yīng)用VHF/UHF-系統(tǒng)蒸發(fā)散特性:高功率高增益:Pout15W, Gp14dB @Vdd...

    產(chǎn)品型號:RD15HVF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD16HHF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD16HHF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為HF RF功率放大器應(yīng)用 特性:高功率增益:Pout16W, Gp16dB @Vdd=12.5V,f=...

    產(chǎn)品型號:RD16HHF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD06HHF1

    詳細(xì)摘要: 描述:RD06HHF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為HF RF功率放大器應(yīng)用. 特征:高功率增益:Pout6W, Gp16dB @Vdd=12.5V,f=...

    產(chǎn)品型號:RD06HHF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱分立MOSFET管 RD06HVF1

    詳細(xì)摘要: RD06HVF1是一個(gè)專門MOS FET型晶體管專為VHF RF功率放大器應(yīng)用 特征:高功率增益:Pout6W, Gp13dB @Vdd=12.5V,f=175...

    產(chǎn)品型號:RD06HVF1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱射頻分立MOSFET管 RD07MVS1

    詳細(xì)摘要: RD07MVS1是MOS FET型晶體管專為VHF/UHF RF功率放大器應(yīng)用 特性:高功率增益:Pout7W, Gp10dB@Vdd=7.2V,f=520MH...

    產(chǎn)品型號:RD07MVS1所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱功放模塊 RA55H3847M

    詳細(xì)摘要: RA55H3847M是55-watt RF MOSFET放大器在12.5-volt操作380-范圍470-MHz移動(dòng)無線電模塊.電池可以直接連接到漏增強(qiáng)型MOS...

    產(chǎn)品型號:RA55H3847M所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱功放模塊 RA30H4452M

    詳細(xì)摘要: 該RA30H4452M是30-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動(dòng)電臺(tái)在向工作在440-520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型...

    產(chǎn)品型號:RA30H4452M所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱射頻模塊 RA30H4047M

    詳細(xì)摘要: RA30H4047M是30-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動(dòng)電臺(tái)在向工作在400-470-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型M...

    產(chǎn)品型號:RA30H4047M所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱射頻模塊 RA07M4452M

    詳細(xì)摘要: RA07M4452M是7-watt RF的MOSFET放大器便攜式收音機(jī)模塊7.2-volt的工作在440-到520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型M...

    產(chǎn)品型號:RA07M4452M所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱功放模塊 RA07M4047M

    詳細(xì)摘要: RA07M4047M是7-watt RF的MOSFET放大器便攜式收音機(jī)模塊7.2-volt的工作在400-到470-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型M...

    產(chǎn)品型號:RA07M4047M所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱功放模塊 RA60H1317M1A

    詳細(xì)摘要: RA60H1317M是60-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動(dòng)電臺(tái)在向工作在135-175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型M...

    產(chǎn)品型號:RA60H1317M1A所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

  • 三菱功放模塊 RA07M1317M

    詳細(xì)摘要: 該RA07M1317M是6.5-watt RF的MOSFET放大器便攜式收音機(jī)模塊7.2-volt的工作在135-到175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增...

    產(chǎn)品型號:RA07M1317M所在地:深圳市更新時(shí)間:2018-05-14 在線留言

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